晶圆减薄工艺方法
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摘要
本发明公开了一种晶圆减薄工艺方法，包括步骤：步骤一、采用化学机械研磨工艺对晶圆的第一表面的硅材料进行研磨并实现第一次减薄；步骤二、采用TMAH药液对晶圆的第一表面的硅材料进行湿法刻蚀实现第二次减薄以将晶圆的厚度减薄到目标厚度；第二次减薄中，将湿法刻蚀工艺分成二步以上的湿法刻蚀子步骤；各湿法刻蚀子步骤之前还包括一步氢氟酸的预处理子步骤；在各湿法刻蚀子步骤之间以及对应的预处理子步骤之前，还包括一次表面改性处理子步骤以晶圆的第一表面的产生厚度均匀的氧化层。本发明能在保证减少晶圆的厚度波动从而实现对晶圆的厚度进行精确控制的条件下消除分步TMAH药液的湿法刻蚀工艺所带来的平台状刻蚀阻挡缺陷。
基本信息
专利标题 ：
晶圆减薄工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111403273A
申请号 ：
CN202010169779.5
公开（公告）日 ：
2020-07-10
申请日 ：
2020-03-12
授权号 ：
CN111403273B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
陈晋徐友峰马强倪加其李虎
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭四华
优先权 ：
CN202010169779.5
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L27/146
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2020-08-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/306
申请日 : 20200312
申请日 : 20200312
2020-07-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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