接触孔工艺方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种接触孔工艺方法，包含：S1：依次形成第一接触孔阻挡层以及第一内层电介质层，进行第一次接触孔刻蚀工艺，去除第一段接触孔处的第一内层电介质层以及第一接触孔阻挡层，形成第一段接触孔，在第一段接触孔中进行第一金属填充；S2：依次形成第二接触孔阻挡层以及第二内层电介质层，进行第二次接触孔刻蚀工艺，去除第二段接触孔处的第二内层电介质层以及第二接触孔阻挡层，形成第二段接触孔，在第二段接触孔中进行第二金属填充。据此，本发明能够达到的技术效果在于，通过两次接触孔的刻蚀，减小深宽比，降低刻蚀难度；并且较小的深宽比的金属填充也比较容易。
基本信息
专利标题 ：
接触孔工艺方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361102A
申请号 ：
CN202111441768.9
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
麻尉蔚徐晓林
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾浩
优先权 ：
CN202111441768.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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