接触窗的形成方法
授权
摘要
一种接触窗的形成方法，首先提供衬底，衬底上已形成至少二个导体元件，且二个导体元件之间有间隙。然后，在衬底上形成第一介电层以覆盖导体元件与间隙，其中所形成的第一介电层中具有隙缝，且隙缝是形成于间隙内。接着，移除间隙内的部分第一介电层以形成一开口，以扩大隙缝的宽度。随后，在第一介电层上形成第二介电层，且填满开口。之后，移除间隙内的部分第二介电层与部分第一介电层，直至暴露出部分衬底表面，以于相对应开口的位置形成一个接触窗开口。然后，于接触窗开口中填入导体层。
基本信息
专利标题 ：
接触窗的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983551A
申请号 ：
CN200510131618.2
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨建伦陈能国蔡腾群黄建中许绍达
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510131618.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-10-01 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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