埋入式电源轨接触形成
公开
摘要
本发明的实施方式涉及一种形成半导体产品的方法，该方法包括：提供包括埋入式电源轨的基材；在埋入式电源轨上的接触表面处形成牺牲塞；应用线路前端模块，用于在半导体基材中形成器件；提供通孔，其穿过前端模块所施加的层，连接埋入式电源轨上的牺牲塞；选择性地移除牺牲塞，从而在埋入式电源轨上方获得腔体；用金属填充腔体以将器件与埋入式电源轨电连接，其中牺牲塞形成为使得接触表面面积大于通孔的平行于接触表面的横截面的面积。
基本信息
专利标题 ：
埋入式电源轨接触形成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597160A
申请号 ：
CN202110718250.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-06-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陶铮
申请人 ：
IMEC非营利协会
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
王颖
优先权 ：
CN202110718250.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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