为非平面型半导体器件形成顶部接触
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要

通过在用作管芯接触的一平面金属引线上提供接触凹陷区,来改善在邻近管芯接触区域有凸起的介质区域的功率器件的接触。凹陷区安排在管芯接触区之上,并与其焊接。调节凹陷区的弯曲半径和凹陷深度,使得接触引线与包围在管芯接触区边缘的凸起介质边缘的距离远得足以使那个位置上提供一个横向凹陷的空气——焊料界面。这可防止焊料蔓延到介质表面,避免管芯边缘短路。

基本信息
专利标题 :
为非平面型半导体器件形成顶部接触
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1041067A
申请号 :
CN89106991.7
公开(公告)日 :
1990-04-04
申请日 :
1989-09-08
授权号 :
CN1016298B
授权日 :
1992-04-15
发明人 :
马丁·卡尔福斯欧吉恩·L·福兹
申请人 :
莫托罗拉公司
申请人地址 :
美国伊利诺斯州
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 :
王以平
优先权 :
CN89106991.7
主分类号 :
H01L23/488
IPC分类号 :
H01L23/488  H01L23/50  H01L29/60  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置,例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2002-11-06 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 :
其他有关事项
2001-03-21 :
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 摩托罗拉公司
变更后 : 半导体元件工业有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国伊利诺斯
变更后 : 美国亚利桑那
2000-11-29 :
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 莫托罗拉公司
变更后 : 摩托罗拉公司
1992-12-16 :
授权
1992-04-15 :
审定
1991-02-27 :
实质审查请求已生效的专利申请
1990-04-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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