在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法

申请的撤回

摘要

在制造电接触(1)时，使用了多晶硅电极层(4)，其边缘搭在与衬底(3)连接的绝缘物上，至少搭在边缘(52)的部分斜坡上。电极层(4)在腐蚀工艺中用做限定侧向边界的掩膜。于是，在电极层(4)的边缘下面形成一个框架形薄层(5)，并露出与薄层(5)相邻的衬底(3)的接触区(2)。再淀积可以形成硅化物的金属层，其厚度小于薄层(5)的厚度。当加热形成硅化物后，没有与硅反应的金属，用选择性溶解金属腐蚀剂去除。

基本信息

专利标题：

在半导体衬底材料接触区制作电接触的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN86105085A

申请号：

CN86105085

公开（公告）日：

1987-03-18

申请日：

1986-08-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

洛萨尔·布洛斯费尔德

申请人：

德国ITT工业股份有限公司

申请人地址：

联邦德国弗赖堡7800

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利代理部

代理人：

刘晖

优先权：

CN86105085

主分类号：

H01L21/18

IPC分类号：

H01L21/18 H01L21/82