集成半导体样本中三维结构之间的接触区域尺寸确定
公开
摘要
本发明揭露了一种用以确定在集成半导体样本中的第一3D结构与第二3D结构之间的接触区域的尺寸的方法，其包含以下步骤：获得至少第一横截面图像和平行于第一横截面图像的第二横截面图像，其中获得第一横截面图像和第二横截面图像包含随后使用聚焦离子束移除集成半导体样本的横截面表面层，以使新横截面可用于成像，以及使用成像装置对集成半导体样本的新横截面进行成像；对所获得的横截面图像进行图像配准并获得3D数据集；确定表示3D数据集中的第一3D结构和第二3D结构的3D模型；以及基于3D模型确定第一3D结构与第二3D结构的相对重叠。
基本信息
专利标题 ：
集成半导体样本中三维结构之间的接触区域尺寸确定
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616589A
申请号 ：
CN202080074478.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A.布克斯鲍姆A.阿维谢D.克洛奇科夫T.科布E.福卡K.李
申请人 ：
卡尔蔡司SMT有限责任公司
申请人地址 ：
德国上科亨
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
王蕊瑞
优先权 ：
CN202080074478.2
主分类号 ：
G06T7/00
IPC分类号 ：
G06T7/00 G06T7/30 G06T7/62
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算；推算或计数
G06T
一般的图像数据处理或产生
G06T7/00
图像分析
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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