欧姆接触结构与半导体器件
授权
摘要
本公开提供一种欧姆接触结构与半导体器件。欧姆接触结构包括：第一接触结构，沿晶体管的栅宽方向设置，位于有源区上表面在所述栅宽方向上的中心，具有第一长度；第二接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第一接触结构两侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第一长度的第二长度；第三接触结构，沿所述栅宽方向设置，沿所述栅宽方向位于所述第二接触结构远离所述第一接触结构的一侧，与所述第一接触结构在所述栅宽方向上中心对齐，具有大于所述第二长度的第三长度。本公开实施例提供的欧姆接触结构可以安全地实现ESD功能。
基本信息
专利标题 ：
欧姆接触结构与半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921459961.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-04
授权号 ：
CN210110757U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
刘志拯
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙宝海
优先权 ：
CN201921459961.3
主分类号 ：
H01L23/60
IPC分类号 ：
H01L23/60 H01L29/45 H01L29/417 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
H01L23/60
防静电荷或放电的保护装置，例如法拉第防护屏
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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