P-欧姆接触结构和使用该P-欧姆接触结构的光电探测器
实质审查的生效
摘要

一种光电探测器,包括:UV透明的n型结构、UV透明的p型结构以及夹在n型结构和p型结构之间的光子吸收区;形成在p型结构上的p‑接触层;以及形成在p‑接触层上的厚度在0.2‑100nm范围内的P‑欧姆接触,其中,p‑欧姆接触包括一层或多层金属氧化物。

基本信息
专利标题 :
P-欧姆接触结构和使用该P-欧姆接触结构的光电探测器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114335229A
申请号 :
CN202110690039.0
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-06-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张剑平周瓴高英
申请人 :
博尔博公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州圣何塞市墨菲大街1172号237室
代理机构 :
青岛清泰联信知识产权代理有限公司
代理人 :
栾瑜
优先权 :
CN202110690039.0
主分类号 :
H01L31/103
IPC分类号 :
H01L31/103  H01L31/02  
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/103
申请日 : 20210622
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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