一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极
授权
摘要
本实用新型公开了一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极，所述电极为在GaN基HEMT的外延层上表面的两侧从下到上依次排布的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属层X、第四金属层Ti和帽层金属层TiN，其中X为Ni、Ni/Ti/Ni或Ni/Ti/Ni/Ti/Ni多层金属中的一种以上。本实用新型避免了高温制备帽层金属层TiN过程，降低了工艺温度和工艺复杂程度，简化了工艺流程，同时低温提升了工艺的兼容性，有助于降低GaN基HEMT器件的制造成本。
基本信息
专利标题 ：
一种GaN基HEMT无金欧姆接触电极
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921319011.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN213304145U
授权日 ：
2021-05-28
发明人 ：
王洪李先辉周泉斌高升
申请人 ：
中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学
申请人地址 ：
广东省中山市火炬开发区中心城区祥兴路6号212房
代理机构 ：
广州粤高专利商标代理有限公司
代理人 ：
江裕强
优先权 ：
CN201921319011.0
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/778
法律状态
2021-05-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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