氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法

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摘要

本发明公开了一种氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法，在氮气氛围下，采用激光扫描含钛金属电极，通过激光引发含钛金属电极与氮气的化学反应，形成氮化钛欧姆接触；单位面积含钛金属电极的总化学反应时间小于0.01s。本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小，反应时间短，而且GaN薄膜材料的电性能不受影响。本发明是一种快速的氮化镓器件欧姆接触制备方法，对于实现高性能的氮化镓电子器件同时提高生产效率有重要的意义。

基本信息

专利标题：

氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108231877A

申请号：

CN201711287917.4

公开（公告）日：

2018-06-29

申请日：

2017-12-07

授权号：

CN108231877B

授权日：

2022-05-24

发明人：

李国强刘智崑陈丁波万利军

申请人：

华南理工大学

申请人地址：

广东省广州市南沙区环市大道南路25号华工大广州产研院

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

陈文姬

优先权：

CN201711287917.4

主分类号：

H01L29/45

IPC分类号：

H01L29/45