一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基P沟道器件及其制备方法，包括：由下至上依次设置的第一Si衬底层、第一保护层、P‑GaN层、P‑InxGaN层、AlyGaN势垒层和第二保护层；AlyGaN势垒层、P‑InxGaN层和P‑GaN层形成N面的异质结结构；P‑InxGaN层的厚度为10nm～20nm；其中，0.05≤x≤0.1；AlyGaN势垒层上开设有与第一凹槽相对的第二凹槽；AlyGaN势垒层的两侧分别沉积有源电极和漏电极；其中，0.2≤y≤0.3；第二凹槽上设置有栅电极；源电极、漏电极和栅电极的上方分别沉积有贯穿第二保护层的互联金属。本发明使用N面的异质结材料制备的P沟道器件可以避免Ga面情况下栅下沉积绝缘介质引入的界面电荷对空穴迁移率的影响，避免了空穴迁移率的降低，改善器件的欧姆接触特性，从而改善了器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530496A
申请号 ：
CN202210013552.0
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马晓华王博麟张濛牛雪锐杨凌侯斌武玫宓珉瀚郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202210013552.0
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L29/778 H01L21/335
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/45
申请日 : 20220106
申请日 : 20220106
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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