一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片
授权
摘要
本专利公开了一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片，所述外延片包括：衬底；AlN/AlGaN超晶格应力缓冲层，形成在所述衬底上；N极半导体层，所述N极半导体层包括第一N‑AlGaN层、N‑GaN层以及第二N‑AlGaN层；所述第一N‑AlGaN层、N‑GaN层和第二N‑AlGaN层从所述超晶格应力缓冲层向上依次设置。通过上述结构的N极设计能够有效改善深紫外LED外延片N极的欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
一种可改善N型欧姆接触的深紫外LED外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020265559.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-06
授权号 ：
CN212434643U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
崔志勇张晓娜张向鹏
申请人 ：
山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请人地址 ：
山西省长治市高新区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郝亮
优先权 ：
CN202020265559.8
主分类号 ：
H01L33/02
IPC分类号 ：
H01L33/02 H01L33/12 H01L33/00
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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