制备欧姆接触的方法和具有欧姆接触的光电池
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
获得对P-型IIB/VIB半导体为欧姆接触的一种方法，它包括的步骤有在半导体表面上沉积基本无氧化物组的含IB族金属盐的粘胶液，加热使之形成干燥层，除去该干燥层，洗涤该表面以除去剩余副产物，并干燥该表面。
基本信息
专利标题 ：
制备欧姆接触的方法和具有欧姆接触的光电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1076311A
申请号 ：
CN92114442.3
公开（公告）日 ：
1993-09-15
申请日 ：
1992-11-07
授权号 ：
CN1031967C
授权日 ：
1996-06-05
发明人 ：
D·R·约翰逊S·奥克蒂克M·E·奥茨桑M·H·帕德森
申请人 ：
英国石油太阳能有限公司
申请人地址 ：
英国伦敦
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN92114442.3
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/06
法律状态
2006-01-04 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1996-06-05 ：
授权
1995-02-22 ：
实质审查请求的生效
1993-09-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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