一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方...
授权
摘要
本发明属于光电子半导体技术领域，具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：非特意掺杂III‑V族半导体层，及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构，成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时，本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性，将其作为III‑V族半导体有源器件的电极，有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
基本信息
专利标题 ：
一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112234097A
申请号 ：
CN202011052522.8
公开（公告）日 ：
2021-01-15
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
CN112234097B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
黄永清杨丹刘凯段晓峰杜嘉薇王俊王琦任晓敏蔡世伟
申请人 ：
北京邮电大学
申请人地址 ：
北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈征
优先权 ：
CN202011052522.8
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L31/0224 H01L31/0304 H01L31/10 H01S5/042
相关图片
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-02-02 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/45
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2021-01-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112234097A.PDF
PDF下载
