一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方...
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摘要
本发明属于光电子半导体技术领域,具体涉及一种非特意掺杂III‑V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括:非特意掺杂III‑V族半导体层,及其表面的氧化镍层。本发明首次提出以氧化镍层与非特意掺杂III‑V族半导体层形成欧姆接触结构,成功解决了非特意掺杂III‑V族半导体材料难以直接形成良好的欧姆接触特性的技术问题。同时,本发明利用氧化镍薄膜的透明导电特性,将其作为III‑V族半导体有源器件的电极,有效解决传统接触电极在光耦合时阻挡信号光、降低光耦合效率和减小有效有源区域面积的技术问题。
基本信息
专利标题 :
一种非特意掺杂III-V族半导体的欧姆接触结构及其制备方法与应用
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112234097A
申请号 :
CN202011052522.8
公开(公告)日 :
2021-01-15
申请日 :
2020-09-29
授权号 :
CN112234097B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
黄永清杨丹刘凯段晓峰杜嘉薇王俊王琦任晓敏蔡世伟
申请人 :
北京邮电大学
申请人地址 :
北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学
代理机构 :
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 :
陈征
优先权 :
CN202011052522.8
主分类号 :
H01L29/45
IPC分类号 :
H01L29/45 H01L31/0224 H01L31/0304 H01L31/10 H01S5/042
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法律状态
2022-05-17 :
授权
2021-02-02 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/45
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2021-01-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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