一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法
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摘要
本发明提供了一种p型GaN上的欧姆接触透明电极材料的制备方法。该方法是采用高分子辅助沉积方法生长Al掺杂ZnO薄膜，再采用退火处理，得到需要的AZO电极层薄膜。这种电极层薄膜生长方法简单，成本较低，可以大面积生长，可以与p型GaN形成很好的欧姆接触，具有电阻率小，透光性高的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种p型GaN上欧姆接触透明电极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110957205A
申请号 ：
CN201811132908.2
公开（公告）日 ：
2020-04-03
申请日 ：
2018-09-27
授权号 ：
CN110957205B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吴昊苏曦刘昌
申请人 ：
武汉大学苏州研究院
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖科技创新区林泉街377号公共学院5号楼
代理机构 ：
武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吴楚
优先权 ：
CN201811132908.2
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/288
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20180927
申请日 : 20180927
2020-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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