化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法
授权
摘要
本发明是化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法。它使用同样的接触合金AuGe，可同时在平面器件的p区和n区得到满意的欧姆接触。使用本发明可减少蒸发光刻及热处理次数，简化工艺，提高成品率。
基本信息
专利标题 ：
化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105699A
申请号 ：
CN85105699
公开（公告）日 ：
1987-01-14
申请日 ：
1985-07-19
授权号 ：
CN85105699B
授权日 ：
1987-02-25
发明人 ：
吴丁芬程宗权
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN85105699
主分类号 ：
H01L21/283
IPC分类号 ：
H01L21/283 H01L21/24
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
法律状态
1987-09-02 ：
授权
1987-02-25 ：
审定
1987-01-14 ：
公开
1986-02-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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