基于平面S型结的耐高压元件

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于平面S型结的耐高压元件，涉及半导体技术领域，其特征在于：至少包括：单晶硅片、位于单晶硅片上表面的第二导电类型轻掺层、位于第二导电类型轻掺层一端的第一导电类型重掺杂层、位于第二导电类型轻掺层另一端的第二导电类型重掺层、与第一导电类型重掺杂层连通的第一电极、与所述第二导电类型重掺层连通的第二电极；相邻两条导电类型轻掺层之间为第一绝缘层；每条导电类型轻掺层的两侧均为第一绝缘层；第二导电类型轻掺层、第一绝缘层、第一导电类型重掺杂层和第二导电类型重掺层位于同一平面内；第一电极平行于上述导电类型轻掺层；第二电极平行于上述导电类型轻掺层；位于所述平面上的第二绝缘层。

基本信息

专利标题：

基于平面S型结的耐高压元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921614311.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN210866180U

授权日：

2020-06-26

发明人：

潘旭捷曲迪

申请人：

华慧高芯科技(深圳)有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区粤海街道软件产业基地4栋A座702室A08

代理机构：

天津市鼎和专利商标代理有限公司

代理人：

蒙建军

优先权：

CN201921614311.1

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/47 H01L29/861 H01L29/872 H01L21/329