高压元件
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摘要
本发明公开一种高压元件，包含有一半导体基底、一离子阱、一萧基二极管，设于所述离子阱中、一绝缘结构，设于所述离子阱中，且环绕所述萧基二极管、以及一辅助栅极，环绕所述萧基二极管。所述辅助栅极仅设于所述绝缘结构上方，而不会直接接触到所述离子阱。
基本信息
专利标题 ：
高压元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109148606A
申请号 ：
CN201710505678.9
公开（公告）日 ：
2019-01-04
申请日 ：
2017-06-28
授权号 ：
CN109148606B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
萧世楹张凯焜杨庆忠
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710505678.9
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/40
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法律状态
2022-04-12 ：
授权
2019-09-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/872
申请日 : 20170628
申请日 : 20170628
2019-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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