基于垂直S型结的耐高压元件

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种基于垂直S型结的耐高压元件，涉及半导体技术领域，其特征在于：至少包括：单晶硅片、位于单晶硅片上表面的第二导电类型轻掺层、位于第二导电类型轻掺层一端的第一导电类型重掺杂层、位于第二导电类型轻掺层另一端的第二导电类型重掺层、与第一导电类型重掺杂层连通的第一电极、与所述第二导电类型重掺层连通的第二电极；相邻两条导电类型轻掺层之间为第一绝缘层；每条导电类型轻掺层的两侧均为第一绝缘层；第二导电类型轻掺层、第一绝缘层、第一导电类型重掺杂层和第二导电类型重掺层位于同一平面内；第一电极垂直于上述导电类型轻掺层；第二电极垂直于上述导电类型轻掺层；位于所述平面上的第二绝缘层。

基本信息

专利标题：

基于垂直S型结的耐高压元件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921610277.0

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-25

授权号：

CN210866182U

授权日：

2020-06-26

发明人：

明辰曲迪白国人王磊李康

申请人：

天津华慧芯科技集团有限公司

申请人地址：

天津市滨海新区生态城中天大道1620号生态科技园启发大厦12层101

代理机构：

天津市鼎和专利商标代理有限公司

代理人：

蒙建军

优先权：

CN201921610277.0

主分类号：

H01L29/40

IPC分类号：

H01L29/40 H01L29/06 H01L21/28