一种超结型MOSFET器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种超结型MOSFET器件，涉及半导体功率器件领域。用于解决现有P柱之间的距离缩小时受到P‑体区宽度的限制，导致JFET区的电阻比较高的问题。该器件包括：P型柱深槽，第一外延层，第二外延层，P‑体区和N+源极区；所述P型柱深槽位于所述第一外延层内，且所述第二外延层位于所述P型柱深槽和所述第一外延层的上层；所述P‑体区位于所述第二外延层内，所述P型柱深槽位于所述P‑体区的正下方，且所述P‑体区的宽度小于所述P型柱深槽的宽度；两个所述N+源极区分别位于所述P‑体区的两侧。
基本信息
专利标题 ：
一种超结型MOSFET器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922274084.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN211017082U
授权日 ：
2020-07-14
发明人 ：
夏亮完颜文娟杨科
申请人 ：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭永丽
优先权 ：
CN201922274084.9
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/336 H01L29/78
法律状态
2020-07-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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