p型GaN欧姆接触的制备方法
实质审查的生效
摘要
本公开提供了一种p型GaN欧姆接触的制备方法，包括：在衬底上依次形成GaN成核层、非故意掺杂的GaN层、重掺杂Mg的p型GaN层后，经过一次退火处理得到第一样品；将第一样品进行激光退火处理后，进行清洗，得到第二样品；对第二样品的表面首先进行光刻形成金属图形，接着依次蒸镀第一金属层、第二金属层，然后剥离多余的第一金属层和第二金属层，得到第三样品；将第三样品进行二次退火处理，形成欧姆接触。其中，激光退火处理使得p型GaN层表面的Mg杂质形成一定的聚集，同时通过打破Mg‑H键，降低H原子浓度，增大空穴浓度，从而降低了p型GaN的接触电阻率，改善了p型GaN与金属的欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
p型GaN欧姆接触的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420559A
申请号 ：
CN202210061899.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王军喜王新维张宁魏学成
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
张博
优先权 ：
CN202210061899.2
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L29/45 H01L31/0224 H01L33/00 H01L33/36
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/324
申请日 : 20220119
申请日 : 20220119
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
