在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统
授权
摘要
本实用新型提供了一种在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统，所述系统包括超快激光模组、纳米墨水打印模组、长脉宽纳秒紫外激光模组及机械平台；所述机械平台用于承载碳化硅基板；所述超快激光模组设于机械平台上方，用于在碳化硅基板上形成微纳结构；所述纳米墨水打印模组设于机械平台上方，用于在碳化硅表面的微纳结构区涂覆一层金属镍的纳米墨水；所述长脉宽纳秒紫外激光模组设于机械平台上方，用于在涂覆一层金属镍的纳米墨水的碳化硅基板上形成连续的金属镍涂层。本实用新型的有益效果在于：通过超快激光模组形成巨大的接触表面的微纳结构，在微纳结构上涂抹金属镍的纳米墨水，最后进行长脉宽紫外激光辐照，得到欧姆接触。
基本信息
专利标题 ：
在碳化硅基板上形成欧姆接触的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022468794.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN212967604U
授权日 ：
2021-04-13
发明人 ：
张杰邹达秦国双
申请人 ：
英诺激光科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区科技园北区朗山二路8号清溢光电大楼305（办公场所）
代理机构 ：
深圳市精英专利事务所
代理人 ：
巫苑明
优先权 ：
CN202022468794.8
主分类号 ：
H01L21/04
IPC分类号 ：
H01L21/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
法律状态
2021-04-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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