用以使用量化金属形成与半导体的欧姆接触的方法
授权
摘要
一种装置包括包含至少一个低能态密度金属/半导体材料界面的集成电路器件，其中所述至少一个低能态密度金属被量化。一种装置包括包含低能态密度金属和半导体材料的至少一个界面的集成电路器件，其中界面处的金属的接触区域是缓变的。一种方法包括限制半导体材料的接触区域；以及在接触区域中形成金属接触。
基本信息
专利标题 ：
用以使用量化金属形成与半导体的欧姆接触的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107636804A
申请号 ：
CN201580080401.5
公开（公告）日 ：
2018-01-26
申请日 ：
2015-06-27
授权号 ：
CN107636804B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
B.朱-龚V.H.勒R.里奥斯G.德维S.B.克伦登宁J.T.卡瓦利罗斯
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN201580080401.5
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 H01L29/08 H01L29/417 H01L29/45 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2018-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/285
申请日 : 20150627
申请日 : 20150627
2018-01-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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