半导体形成装置
授权
摘要
提供了半导体形成装置及半导体装置的形成方法。此处所述的系统与方法用于可变且动态控制可变开口遮罩单元，以定义、隔离、及/或遮罩掺质布植及/或热退火工艺的扩散区域，其可用于生产进阶半导体装置的晶圆制作中。可动态放置多个隔离材料平板，以定义多个隔离材料平板的边缘之间的可变遮罩开口的尺寸、位置、与形状。隔离材料平板可连接于联合的一对载具之间。载具耦接至可变装置遮罩单元的两侧上的一组平行轨道，并可沿着平行的轨道移动。
基本信息
专利标题 ：
半导体形成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110875178A
申请号 ：
CN201910816858.8
公开（公告）日 ：
2020-03-10
申请日 ：
2019-08-30
授权号 ：
CN110875178B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
黄威瀚谭伦光
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄艳
优先权 ：
CN201910816858.8
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/266 H01L21/324 H01L21/67 H01J37/30 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2020-04-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/268
申请日 : 20190830
申请日 : 20190830
2020-03-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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