半导体器件的金属互连及其形成方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种半导体器件的金属互连及其形成方法，其中，通过氮化层的“自阻止”功能避免过蚀刻和欠蚀刻，以防止铜互连中的断路和孔隙的发生，并获得恒定的沟道深度。该方法包括以下步骤：通过初步退火在半导体衬底上形成氮化膜，半导体衬底具有第一IMD膜和钨插头；在其上形成有氮化膜的半导体衬底上沉积第二IMD膜；在第二IMD膜上沉积光刻胶，并使光刻胶形成图样；利用形成图样的光刻胶蚀刻第二IMD膜，用于形成沟道；利用化学制品去除氮化膜；在从中去除了氮化物膜的沟道中沉积铜阻挡金属膜和铜晶种层，然后沉积铜；将其上沉积有铜的衬底二次退火；以及通过化学机械抛光使已二次退火的衬底平坦化。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的金属互连及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819177A
申请号 ：
CN200510097493.6
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2005-12-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金昇炫
申请人 ：
东部亚南半导体株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余刚
优先权 ：
CN200510097493.6
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2014-02-26 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101573760870
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005100974936
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20121228
号牌文件序号 : 101573760870
IPC(主分类) : H01L 23/522
专利号 : ZL2005100974936
申请日 : 20051228
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20121228
2009-08-26 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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