一种金刚石基欧姆接触结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种金刚石基欧姆接触结构，属于半导体材料与器件技术领域。该金刚石基欧姆接触结构，包括金刚石衬底，金刚石衬底的表面设有欧姆接触电极，欧姆接触电极包括两层金属电极层，接触金刚石衬底的第一电极层为Ni金属层，第一电极层的上层为第二电极层，第二电极层为化学惰性金属层。金刚石衬底表面上还可预先设有单晶金刚石外延薄膜。在金刚石材料衬底上沉积第一电极层，在第一电极层上沉积第二电极层，之后进行快速退火形成耐高温金刚石基欧姆接触结构。本实用新型的金刚石基欧姆接触结构在高温下有良好的热稳定性和电学特性，同时显著提高了金属电极与金刚石材料之间的黏附性。
基本信息
专利标题 ：
一种金刚石基欧姆接触结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021193069.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-24
授权号 ：
CN212461601U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
张鹏飞陈伟东张少鹏王宏兴
申请人 ：
内蒙古工业大学
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市新城区爱民街49号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘徐红
优先权 ：
CN202021193069.8
主分类号 ：
H01L21/285
IPC分类号 ：
H01L21/285 H01L29/45
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积，例如冷凝
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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