利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法
公开
摘要
利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法,本发明解决半导体器件在金属‑半导体接触处会产生较大的能量损耗等问题。制备欧姆接触的方法:在清洗后的金刚石上匀胶处理,再进行光刻处理,然后在光刻后的金刚石表面磁控溅射沉积Fe层,经过清洗去胶,将表面镀制有铁的金刚石置于石英管中密封,石英管内充有保护气体,然后转移至管式炉中,在800~950℃下退火处理,在本征金刚石表面制备欧姆接触。本发明通过控制退火温度和时间获得最小的接触电阻率,极大提高了导电性能,触点结合性能较好可以长时稳定的工作,由于Fe的存在引线难度降低易于表面形成机械稳定的接触,降低了表面整体石墨化的温度,简化了制备流程。
基本信息
专利标题 :
利用铁催化作用在本征金刚石表面制备欧姆接触的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114628249A
申请号 :
CN202210258284.9
公开(公告)日 :
2022-06-14
申请日 :
2022-03-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
张晓晖刘康刘本建张文超朱嘉琦代兵韩杰才
申请人 :
哈尔滨工业大学
申请人地址 :
黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
代理机构 :
哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司
代理人 :
侯静
优先权 :
CN202210258284.9
主分类号 :
H01L21/285
IPC分类号 :
H01L21/285 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/285
气体或蒸气的沉积,例如冷凝
法律状态
2022-06-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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