一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法
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摘要
本发明涉及一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法，该雪崩二极管包括：本征金刚石层，本征金刚石层为高纯本征金刚石层，本征金刚石层上形成有第一台面和第二台面，第一台面相对于第二台面凸起且位于第二台面的中心；欧姆电极，形成在第二台面的表面且环绕第一台面；肖特基电极，形成在第一台面的表面。该雪崩二极管提高了雪崩二极管的雪崩发生几率、击穿电压、工作电流、响应速度，并且抑制了因工作温度过高而导致的失效问题，使得雪崩二极管雪崩状态可控且在高重频短脉冲下具有稳定复现的高击穿场强。
基本信息
专利标题 ：
一种基于高纯本征单晶金刚石的雪崩二极管及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112382670A
申请号 ：
CN202011077757.2
公开（公告）日 ：
2021-02-19
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN112382670B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
张金风何琦苏凯张进成郝跃
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘长春
优先权 ：
CN202011077757.2
主分类号 ：
H01L29/861
IPC分类号 ：
H01L29/861 H01L21/329 H01L29/16 H01L29/45 H01L29/47
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2021-03-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/861
申请日 : 20201010
申请日 : 20201010
2021-02-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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