欧姆接触结构及其制备方法与应用
授权
摘要
本发明公开了一种欧姆接触结构及其制备方法与应用。所述欧姆接触结构包括：p型半导体，至少在所述p型半导体表面的指定区域分布有多个凹坑结构；金属纳米线层，其至少覆设于所述p型半导体表面的指定区域，并与所述p型半导体电性接触，且其中部分的金属纳米线填充入所述凹坑结构；以及金属网格电极，其设置在所述金属纳米线层上，并与所述金属纳米线层电性接触。本发明的欧姆接触结构欧姆接触性能优良，金属纳米线层的金属元素与p型半导体层形成合金状物质，且金属网格电极中的金属元素能与金属纳米线中的金属元素形成合金状物质，接触紧密且接触电阻更小，并且载流子的浓度增大，可减少p型半导体层与金属元素之间的接触欧姆电阻。
基本信息
专利标题 ：
欧姆接触结构及其制备方法与应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388614A
申请号 ：
CN202210283001.6
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-03-22
授权号 ：
CN114388614B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
李利哲王国斌
申请人 ：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
代理机构 ：
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
王茹
优先权 ：
CN202210283001.6
主分类号 ：
H01L29/45
IPC分类号 ：
H01L29/45 H01L21/28
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/45
申请日 : 20220322
申请日 : 20220322
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
