一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED
授权
摘要
本实用新型提供一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，自下至上依次包括衬底、缓冲层、n型接触层、有源层、p型电导层和复合金属电极层；n型接触层接引有第一电极；复合金属电极层接引有第二电极；复合金属电极层自下而上依次由高功函数金属薄层、高深紫外反射率金属层和保护金属层。该欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED，通过高功函数金属薄层与p型电导层接触，以获得低电阻的欧姆接触；通过在高功函数金属薄层上沉积高深紫外反射率金属层，增强对深紫外光的反射；通过在高深紫外反射率金属层上沉积保护金属层，以防止下层金属氧化，和增加稳定性。该深紫外LED能够获得高的电注入效率，低开启电压，高的背出光效率。
基本信息
专利标题 ：
一种欧姆接触反射式电极结构的深紫外LED
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021905263.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-03
授权号 ：
CN212542466U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
蔡端俊黄生荣
申请人 ：
厦门瑶光半导体科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市火炬高新区创业园创业大厦北618A室
代理机构 ：
厦门加减专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨泽奇
优先权 ：
CN202021905263.4
主分类号 ：
H01L33/40
IPC分类号 ：
H01L33/40 H01L33/42
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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