基板的焊接槽形成工艺及其基板
实质审查的生效
摘要
本发明公开了基板的焊接槽形成工艺及其基板，包括以下步骤：对基板进行等离子清洗，干燥；在干燥后的基板表面，选取多个遮蔽区域，用覆盖材料进行遮蔽；在基板的上表面进行镀镍，镀覆至少一层镍层；将基板表面遮蔽区域的覆盖材料去除掉，在基板的表面形成多个焊接槽；再对基板进行等离子清洗，干燥后得到成品。本发明能够有效形成焊接槽，形成的焊接槽大大提高焊接部件的强度和牢固度。
基本信息
专利标题 ：
基板的焊接槽形成工艺及其基板
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446795A
申请号 ：
CN202011202784.8
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
章恒镖
申请人 ：
杭州骉昇科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市富阳区新登镇金城路85号
代理机构 ：
杭州万合知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
丁海华
优先权 ：
CN202011202784.8
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L23/13 H01L23/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20201102
申请日 : 20201102
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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