差异层形成工艺和由此形成的结构

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摘要

本文描述了形成半导体器件中的诸如接触蚀刻停止层(CESL)的差异层的方法以及通过该方法形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的有源区，位于有源区上的栅极结构和沿着栅极结构的侧壁的栅极间隔件以及差异蚀刻停止层。差异蚀刻停止层具有沿着栅极间隔件的侧壁的第一部分并且具有位于源极/漏极区的上表面上的第二部分。第一部分的第一厚度在垂直于栅极间隔件的侧壁的方向上，并且第二部分的第二厚度在垂直于源极/漏极区的上表面的方向上。第二厚度大于第一厚度。本发明实施例涉及差异层形成工艺和由此形成的结构。

基本信息

专利标题：

差异层形成工艺和由此形成的结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109585552A

申请号：

CN201810521121.9

公开（公告）日：

2019-04-05

申请日：

2018-05-28

授权号：

CN109585552B

授权日：

2022-05-10

发明人：

柯忠廷李志鸿徐志安

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司

代理人：

章社杲

优先权：

CN201810521121.9

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336