凸起结构的形成
公开
摘要
公开了一种凸起结构的制造技术。制备包括形成在其表面上的衬垫的组的衬底，衬垫包括第一导电材料。在每个衬垫上涂覆金属粘合层。通过使用模制层烧结导电颗粒来在每个衬垫上形成凸起基底，导电颗粒包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料。
基本信息
专利标题 ：
凸起结构的形成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586145A
申请号 ：
CN202080071173.6
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
久田隆史青木丰广中村英司
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
王英杰
优先权 ：
CN202080071173.6
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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