倒装片安装方法以及凸起形成方法
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摘要
一种可应用于第二代LSI的倒装片安装中的、生产率及可靠性高的倒装片安装方法和凸起形成方法。在将具有多个电极端子(12)的半导体芯片(20)，相对于具有多个连接端子(11)的电路基板(21)具有一定间隙地对置地保持的状态下，将半导体芯片(20)及电路基板(21)在放入了含有熔融焊锡粉的熔融树脂(14)的浸泡槽(40)内浸泡规定时间。在该浸泡工序中，熔融焊锡粉在电路基板(21)的连接端子(11)与半导体芯片(20)的电极端子(12)间自聚合，从而在该端子间形成连接体(22)，然后，从浸泡槽(40)中取出半导体芯片(20)及电路基板(21)，使渗透到半导体芯片(20)与电路基板(21)间的间隙内的熔融树脂(14)固化，完成倒装片安装体。
基本信息
专利标题 ：
倒装片安装方法以及凸起形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128924A
申请号 ：
CN200680005767.7
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
平野浩一辛岛靖治一柳贵志富田佳宏中谷诚一
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200680005767.7
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2010-01-27 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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