微细孔电镀和金凸起形成方法、半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
一种对微细孔的电镀方法，使用低毒性且具有与氰基类金电镀液相匹配的性能的、含有碘化金络合离子和非水溶剂的金电镀液，用适当的脉冲电流波形施加仅正电流或正负电流的脉冲波的电镀电流以在光致抗蚀剂微细的开口部中实施金电镀。对在电极焊盘上形成的开口部进行金电镀，由此在电极焊盘上形成金凸起，该凸起面内的高度偏差、晶片面内的凸起高度偏差、以及凸起表面的粗糙度同时减小，连接可靠性高，而且，也不产生因抗蚀剂裂缝而导致的电极间短路。
基本信息
专利标题 ：
微细孔电镀和金凸起形成方法、半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822322A
申请号 ：
CN200510048397.2
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-11-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
铃木芳英泽井敬一
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200510048397.2
主分类号 ：
H01L21/288
IPC分类号 ：
H01L21/288 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/288
液体的沉积，例如，电解沉积
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638247159
IPC(主分类) : H01L 21/288
专利号 : ZL2005100483972
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20141102
号牌文件序号 : 101638247159
IPC(主分类) : H01L 21/288
专利号 : ZL2005100483972
申请日 : 20051102
授权公告日 : 20090107
终止日期 : 20141102
2009-01-07 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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