电子器件及其形成工艺
专利权的终止
摘要
一种电子器件包括衬底和覆盖于该衬底之上并限定了一个开口阵列的阱结构。从横截面视图来看，阱结构在开口上具有反斜面。从平面图来看，每个开口对应于一个有机电子元件。开口阵列内的每个开口具有一宽度，并且开口阵列内的两个直接相邻的开口通过宽度小于各个开口的宽度的沟道来连接。
基本信息
专利标题 ：
电子器件及其形成工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101091256A
申请号 ：
CN200580045257.8
公开（公告）日 ：
2007-12-19
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·索里奇M·斯坦纳
申请人 ：
E.I.内穆尔杜邦公司
申请人地址 ：
美国特拉华州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
朱黎明
优先权 ：
CN200580045257.8
主分类号 ：
H01L29/08
IPC分类号 ：
H01L29/08 H01L23/58 H01L21/00
法律状态
2017-02-22 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101705177893
IPC(主分类) : H01L 29/08
专利号 : ZL2005800452578
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20151229
号牌文件序号 : 101705177893
IPC(主分类) : H01L 29/08
专利号 : ZL2005800452578
申请日 : 20051229
授权公告日 : 20091209
终止日期 : 20151229
2009-12-09 ：
授权
2008-02-27 ：
实质审查的生效
2007-12-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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