在电子器件中形成STI区的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种制造集成电路的方法，具体地涉及形成浅沟隔离(STI)区的步骤。根据本发明的方法导致具有减小窄宽度效应和边缘泄漏的电子器件和集成电路。这是通过在形成STI区之后、在STI区的边缘附近执行附加粒子注入步骤来实现的。
基本信息
专利标题 ：
在电子器件中形成STI区的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101164158A
申请号 ：
CN200680004437.6
公开（公告）日 ：
2008-04-16
申请日 ：
2006-02-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
纪尧姆·迪布瓦乔安·D·博特
申请人 ：
NXP股份有限公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
朱进桂
优先权 ：
CN200680004437.6
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20060201
授权公告日 : 20100901
终止日期 : 20210201
申请日 : 20060201
授权公告日 : 20100901
终止日期 : 20210201
2010-09-01 ：
授权
2008-06-11 ：
实质审查的生效
2008-04-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101164158A.PDF
PDF下载
2、
CN101164158B.PDF
PDF下载
