电子器件和形成电子器件的方法
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摘要
本公开涉及一种电子器件和形成所述电子器件的方法。电子器件可以包括晶体管。所述晶体管可以包括：第一层，包含第一III‑V材料；第二层，覆盖在所述第一层上面并包含第二III‑V材料；以及第三层，覆盖在所述第一层上面并包含第三III‑V材料。在一个实施方案中，第一层和第二层中的每一者包含Al，并且第二层与第一层相比具有更高的Al含量。在另一个实施方案中，晶体管可以进一步包括：栅极介电层，覆盖在第三层上面；以及所述晶体管的栅极电极，覆盖在栅极介电层和第三层上面。所述晶体管可以是增强型高电子迁移率晶体管。与常规的增强型高电子迁移率晶体管相比，层的构型可以允许实现相对更高的阈值电压而不显著增加RDSON。
基本信息
专利标题 ：
电子器件和形成电子器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110246894A
申请号 ：
CN201910066038.1
公开（公告）日 ：
2019-09-17
申请日 ：
2019-01-23
授权号 ：
CN110246894B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
皮特·莫昂P·范米尔贝克阿布舍克·班纳吉
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
王琳
优先权 ：
CN201910066038.1
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L21/335
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法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-10-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20190123
申请日 : 20190123
2019-09-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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