电子器件及其形成方法
授权
摘要

本发明涉及电子器件及其形成方法。电子器件可以包括半导体材料和覆盖在该半导体材料上面的半导体层,其中与该半导体材料相比,半导体层具有更大的带隙能。电子器件可以包括具有高电场区域和低电场区域的部件。在高电场区域内,不存在半导体材料。在另一个实施方案中,可能不存在所述部件。本发明实现的技术效果是提供改进的电子器件。本发明所解决的问题是在将具有较低带隙能的半导体材料用于衬底并且电子部件包括具有相对较高带隙能的不同半导体材料时,电压击穿得到改善。

基本信息
专利标题 :
电子器件及其形成方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN107681000A
申请号 :
CN201710626677.X
公开(公告)日 :
2018-02-09
申请日 :
2017-07-28
授权号 :
CN107681000B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
A·萨利G·M·格里弗纳
申请人 :
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 :
美国亚利桑那
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
秦晨
优先权 :
CN201710626677.X
主分类号 :
H01L29/778
IPC分类号 :
H01L29/778  H01L27/085  H01L21/8252  
法律状态
2022-05-10 :
授权
2019-07-26 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/778
申请日 : 20170728
2018-02-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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