半导体结构切割工艺和由此形成的结构
授权
摘要
描述了切割鳍的方法和由此形成的结构。在实施例中，结构包括位于衬底上的第一鳍和第二鳍以及设置在第一鳍和第二鳍之间的鳍切割填充结构。第一鳍和第二鳍纵向对准。鳍切割填充结构包括位于第一鳍的第一侧壁上的衬垫以及位于衬垫的侧壁上和位于第一鳍的第二侧壁上的绝缘填充材料。衬垫还位于第一鳍的第一侧壁和第一鳍的第二侧壁之间的第一鳍的表面上。本发明实施例涉及半导体结构切割工艺和由此形成的结构。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构切割工艺和由此形成的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109841618A
申请号 ：
CN201810521136.5
公开（公告）日 ：
2019-06-04
申请日 ：
2018-05-28
授权号 ：
CN109841618B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
陈嘉仁张铭庆陈宜群林育贤殷立炜潘姿文张正忠徐绍华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201810521136.5
主分类号 ：
H01L27/088
IPC分类号 ：
H01L27/088 H01L21/8234 H01L29/78 H01L21/336
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
H01L27/088
有绝缘栅场效应晶体管的组件
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-06-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/088
申请日 : 20180528
申请日 : 20180528
2019-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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