一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供的一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法，通过在GaN帽层上外延一层AlN帽层，由于AlN相较于AlGaN Al组分变大，自终止刻蚀过程中更有利于AlF3的生成，能够有效提高自终止刻蚀的选择比，降低刻蚀对沟道中二维电子气的损伤，可以获得更大的输出电流。同时本发明将AlN作为刻蚀停止层，得到的刻蚀表面更加平坦，表面缺陷更少，进而减小器件的表面漏电。本发明相较于常规的无掩膜再生长，可以有效提高器件的可靠性，可以避免MOCVD高温外延过程掩膜的组分扩散和应力作用引起势垒层的退化；同时还保留了传统MBE再生长的优点，能够有效降低接触电阻，改善器件的直流特性。
基本信息
专利标题 ：
一种基于新型欧姆再生长的GaN基器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361031A
申请号 ：
CN202111397879.4
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马晓华祝杰杰徐佳豪郭静姝刘思雨宓珉瀚
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市雁塔区太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王萌
优先权 ：
CN202111397879.4
主分类号 ：
H01L21/335
IPC分类号 ：
H01L21/335 H01L21/28 H01L29/778 H01L29/45
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/335
申请日 : 20211123
申请日 : 20211123
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
