半导体器件及其电接触结构

授权

摘要

本实用新型提供了一种半导体器件及其电接触结构，通过将核心区中至少最靠近所述周边区的第一个接触插塞形成于核心区和周边区的交界处的隔离结构上方并与该隔离结构接触，且可以使得第一个接触插塞的底部完全重叠在该隔离结构上，或者，一部分底部与该隔离结构重叠，另一部分底部与紧挨该隔离结构的核心区的有源区重叠，甚至使得第一个接触插塞的顶部至少与紧挨该隔离结构的核心区的有源区上方的接触插塞的顶部相联在一起，由此，可以使得原先在核心区边界最外侧上形成的电学结构至少部分形成于交界处的隔离结构上方，进而保证核心区内部中的接触插塞上方的电学结构的一致性以及保证核心区边界上的电学结构的性能。

基本信息

专利标题：

半导体器件及其电接触结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921634136.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-27

授权号：

CN210778604U

授权日：

2020-06-16

发明人：

童宇诚赖惠先

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司

代理人：

王宏婧

优先权：

CN201921634136.2

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L23/48 H01L21/768 H01L21/8242