半导体器件及其电接触结构
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体器件及其电接触结构，通过使得形成在所述核心元件区的边界处的至少两个接触插塞的顶部相联在一起，来在核心元件区的边界处形成顶部横截面积较大的组合接触结构，由此，为后续在核心元件区的边界处的接触结构上方形成电学结构的工艺提供足够的工艺余量，使得该边界处的所述电学结构的尺寸增大，降低接触阻抗，且通过该边界处尺寸增大的所述电学结构的，缓冲核心元件区和周边电路区之间的电路图案的密度差异，改善光学邻近效应，保证核心元件区边界以内的接触插塞上方的电学结构的一致性，并防止所述边界处的接触插塞上方的电学结构出现坍塌，提高器件性能。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其电接触结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921636158.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-27
授权号 ：
CN210575953U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
童宇诚詹益旺黄永泰方晓培吴少一
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
王宏婧
优先权 ：
CN201921636158.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L23/48 H01L21/768 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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