接触结构及半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型涉及一种接触结构及半导体器件结构，接触结构包括：导电插塞；钝化保护层，覆盖所述导电插塞的侧壁。上述接触结构中通过在导电插塞的侧壁形成钝化保护层，防止导电插塞暴露于空气中，避免导电插塞的表面被氧化，在酸洗工艺中钝化保护层可以保护导电插塞不被去除，确保导电插塞的形貌完整，保证了器件的导电性能。
基本信息
专利标题 ：
接触结构及半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921697573.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-11
授权号 ：
CN211788963U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
金星
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
李鑫
优先权 ：
CN201921697573.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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