半导体器件结构
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体器件结构，所述半导体器件结构包括衬底、位于衬底上的晶体管及位于所述晶体管周向上的切割道，所述切割道与所述晶体管相邻的一侧设置有氢气吸收层，所述氢气吸收层包括钛金属层和位于钛金属层表面的能渗透氢的保护层。本实用新型提供的半导体器件结构，通过在切割道中设置氢气吸收层作为氢吸收剂，以吸收从封装材料中逸出的氢，利用氢气吸收层对氢的吸收能力是相同体积的硅基吸气剂的25倍，且所占体积小，工艺简单，可以方便地整合进芯片工艺流程，不需要进行高温组合固化工艺，也不需要长时间的烘烤等优点，可以有效提高诸如砷化镓、氮化镓等高频、高功率晶体管的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123016978.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
CN216288390U
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
刘煦冉程海英周泽阳
申请人 ：
上海新微半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
卢炳琼
优先权 ：
CN202123016978.1
主分类号 ：
H01L23/26
IPC分类号 ：
H01L23/26 H01L29/68
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/16
容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
H01L23/18
按材料，它的物理或化学性能，或者在其完整器件内以它的配置为特点进行区分的填充料
H01L23/26
包含对水分或其他有害物质有吸收作用或起反应的材料的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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