本实用新型提供一种半导体器件结构，半导体器件结构包括：第一导电类型的半导体衬底；第一导电类型的外延结构，外延结构包括至少两层外延单元层，且至少两层具有不同的掺杂浓度；沟槽结构以及形成于沟槽结构中的第二导电类型的柱结构。本实用新型在制备外延结构的过程中，制备出包括少两层外延单元层的外延结构，且外延单元层中的至少两层具有不同的掺杂浓度，可以基于上述材料层的设置改变形成在外延结构中的沟槽结构的侧壁的形貌，从而可以使得在沟槽结构中形成的柱结构的形貌依据实际需求进行改进，可以改变沟槽结构侧壁与底部之间的倾斜情况，即改变柱结构侧壁与底部之间的倾斜情况，进而可以改善由其引起的电容急剧变化的问题。