有源区域结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种有源区域结构，有源区域结构包含：多个封闭图案有源区位于一衬底上，多个所述封闭图案有源区彼此之间相互接触，并组成一封闭图案，其中所述封闭图案的第一边界沿着一水平方向延伸，所述封闭图案的第二边界沿着一垂直方向延伸该有源区域结构可以阻挡外围大区域的浅沟槽绝缘层对组件区域所产生的应力，防止在组件区域的周围边区域的组件单元。
基本信息
专利标题 ：
有源区域结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022016048.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-15
授权号 ：
CN213026126U
授权日 ：
2021-04-20
发明人 ：
林刚毅
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
霍文娟
优先权 ：
CN202022016048.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2021-04-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
