有源区域结构与其形成方法

授权

摘要

本发明公开了一种有源区域结构与其形成方法，有源区域结构的形成方法包含：形成多个牺牲图案位于一衬底上方，其中至少部分牺牲图案包含一水平部分以及一垂直部分，其中至少部分牺牲图案的水平部分与相邻的另一牺牲图案的水平部分在一水平方向上相互对齐，至少部分的牺牲图案的垂直部分与相邻的另一牺牲图案的垂直部分在一垂直方向上相互对齐；形成多个间隙壁图案，每一个间隙壁图案环绕在一个牺牲图案的周围。该有源区域结构的形成方法可以阻挡外围大区域的浅沟槽绝缘层对组件区域所产生的应力，防止在组件区域的周围边区域的组件单元，因为应力而损坏。边界结构可以补偿有源线之间在端部不平均的应力，也可以避免组件单元的损坏。

基本信息

专利标题：

有源区域结构与其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112133699A

申请号：

CN202010969107.2

公开（公告）日：

2020-12-25

申请日：

2020-09-15

授权号：

CN112133699B

授权日：

2022-05-06

发明人：

林刚毅

申请人：

福建省晋华集成电路有限公司

申请人地址：

福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

霍文娟

优先权：

CN202010969107.2

主分类号：

H01L27/108

IPC分类号：

H01L27/108 H01L21/8242

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L27/00

由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件

H01L27/02

包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的

H01L27/04

其衬底为半导体的

H01L27/10

在重复结构中包括有多个独立组件的

H01L27/105

包含场效应组件的

H01L27/108

动态随机存取存储结构的

法律状态

2022-05-06 ：

授权

2021-01-12 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200915

2020-12-25 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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