一种新颖的在第一导电类型的衬底上形成的图像传感器结构，所述图像传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和所述第一导电类型的表面钉扎层。邻近所述光敏器件钉扎层形成沟槽隔离区。所述结构包括杂质区，所述杂质区包括沿所述隔离区的侧壁形成的所述第一导电类型的材料，并适于将所述钉扎层电连接至所述衬底。通过首先制造所述光致抗蚀剂层，并通过去除其阻挡所述倾斜注入材料的拐角或拐角部分减小其尺寸，相应的方法便于在所述隔离区侧壁中倾斜离子注入杂质材料。为便于越过抗蚀剂阻挡掩膜对所述侧壁边缘进行倾斜注入，提出了两种方法：1)对成像的光致抗蚀剂进行隔离物型蚀刻；或者，2)对成像的光致抗蚀剂进行拐角溅射工艺。